二硫化钼晶体（天然）MoS2（MolybdenumDisulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~10mm-20mm 纯度：99% 属性：半导体

二硫化铅锡晶体PbSnS2（LeadTinDisulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~8mm 纯度：99.995% 属性：半导体

RheniumatomsperfectlyincorporatedintoMoSmatrix.

硫盐矿物晶体Pb3Sn4FeSb2S14（LeadTinFerrumAntimonySulfide） 晶体结构：六边形 类型：合成 尺寸：~8mm 纯度：99.995% 属性：超导体

Singlecrystalhighlyoriented-synthetic-molybdenumdisulfide（2H-MoS）comesinbulk.

三硫化铌晶体（99.995%）NbS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%）FePS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%）MnPS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%）NiPS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

硫磷化铜（铟掺杂）晶体（99.995%）CuInP2S6 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

As2S3comesinperfect2:3stoichiometry.

Bismuthsulfide（BiS）Developedatourfacilitiesinthelastfive（5）yearstooptimizetheperfectstoichiometry.