硫化镓晶体GaS(GalliumSulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=0.360,b=0.640nm,c=1.544nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍硫化锗晶体GeS(GermaniumSulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a=1.450,b=0.364nm,c=0.430nm,α=β=γ=90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化铪晶体HfS2(HafniumDisulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.363nm,c=0.586nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化钼晶体(天然)MoS2(MolybdenumDisulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~10mm-20mm 纯度:99% 属性:半导体
查看详细介绍二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n型)MoS2(MolybdenumDisulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/p型)MoS2(MolybdenumDisulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:P型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍大尺寸二硫化钼晶体(天然/99.9%)MoS2(MolybdenumDisulfide) 晶体尺寸:~10毫米-15毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.9%
查看详细介绍二硫化钨钼晶体MoWS2(MolybdenumTungstenDisulfidealloy) 晶体尺寸:~6毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:取决于合金成分:a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.29nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化铌晶体3R-NbS2(NiobiumDisulfide) 晶体尺寸:4毫米 电学性能:金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.330nm,c=1.792nm,α=β=90,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化铅锡晶体PbSnS2(LeadTinDisulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~8mm 纯度:99.995% 属性:半导体
查看详细介绍二硫化铼晶体ReS2(RheniumDisulfide) 晶体结构:三斜晶晶体尺寸:~8毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:三斜晶系 晶胞参数:a=0.634,b=0.640nm,c=0.645nm,α=106.74°,β=119.03°,γ=89.97° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
查看详细介绍二硫化锡晶体2H-SnS2(TinSulfide) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:半导体(~2.2ev) 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.364,c=0.589nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
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