硫化镓晶体GaS（GalliumSulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=0.360,b=0.640nm,c=1.544nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

硫化锗晶体GeS（GermaniumSulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：斜方晶系 晶胞参数：a=1.450,b=0.364nm,c=0.430nm,α=β=γ=90° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化铪晶体HfS2（HafniumDisulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.363nm,c=0.586nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化钼晶体（天然）MoS2（MolybdenumDisulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~10mm-20mm 纯度：99% 属性：半导体

二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/n型）MoS2（MolybdenumDisulfide）-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p型）MoS2（MolybdenumDisulfide）-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能：P型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

大尺寸二硫化钼晶体（天然/99.9%）MoS2（MolybdenumDisulfide） 晶体尺寸：~10毫米-15毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.9%

二硫化钨钼晶体MoWS2（MolybdenumTungstenDisulfidealloy） 晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a=b=0.31-0.33nmａndc=1.21-1.29nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化铌晶体3R-NbS2（NiobiumDisulfide） 晶体尺寸：4毫米 电学性能：金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.330nm,c=1.792nm,α=β=90,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化铅锡晶体PbSnS2（LeadTinDisulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~8mm 纯度：99.995% 属性：半导体

二硫化铼晶体ReS2（RheniumDisulfide） 晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：三斜晶系 晶胞参数：a=0.634,b=0.640nm,c=0.645nm,α=106.74°,β=119.03°,γ=89.97° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硫化锡晶体2H-SnS2（TinSulfide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体（~2.2ev） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a=b=0.364,c=0.589nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%